等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐主要包含以下三個(gè)基本過程

　　等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過應(yīng)氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。一般說來，采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長主要包含以下三個(gè)基本過程：

　　首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；

　　其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn)，同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級反應(yīng)；

　　后，到達(dá)生長表面的各種初級反應(yīng)和次級反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。

　　具體說來，基于放電方法的PECVD技術(shù)，能夠使得反應(yīng)氣體在外界電磁場的激勵(lì)下實(shí)現(xiàn)電離形成等離子體。在放電的等離子體中，電子經(jīng)外電場加速后，其動(dòng)能通常可達(dá)10eV左右，甚至更高，足以破壞反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵，因此，通過高能電子和反應(yīng)氣體分子的非彈性碰撞，就會(huì)使氣體分子電離（離化）或者使其分解，產(chǎn)生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場的加速與上電極碰撞，放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場，所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產(chǎn)生的中性物依擴(kuò)散到達(dá)管壁和襯底。這些粒子和基團(tuán)（這里把化學(xué)上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團(tuán)）在漂移和擴(kuò)散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會(huì)發(fā)生離子-分子反應(yīng)和基團(tuán)-分子反應(yīng)等過程。到達(dá)襯底并被吸附的化學(xué)活性物（主要是基團(tuán)）的化學(xué)性質(zhì)都很活潑，由它們之間的相互反應(yīng)從而形成薄膜。